m.khvyshchun@lutsk-ntu.com.ua

Хвищун Микола Вячеславович

Основне місце роботи

Факультет комп’ютерних та інформаційних технологій

Кафедра електроніки та телекомунікацій

Доцент

Місце роботи за сумісництвом

Факультет комп’ютерних та інформаційних технологій

Кафедра інженерії програмного забезпечення

Доцент
m.khvyshchun@lutsk-ntu.com.ua

Кандидат фізико-математичних наук, доцент кафедри електроніки та телекомунікацій

Написати повідомлення
Написати повідомлення

Хвищун Микола Вячеславович народився 7 лютого 1972 року в м. Горохів Горохівського району Волинської області. У 1989 році закінчив Горохівську середню школу імені Івана Франка із срібною медаллю, а у 1994 році – з відзнакою Львівський державний університет імені Івана Франка за спеціальністю «Фізика» та здобув кваліфікацію спеціаліста «Фізик. Викладач фізики» (диплом ЛП № 000774 від 23 червня 1994 р.). З 11 листопада 1994 по 11 листопада 1997 рік навчався в аспірантурі Луцького індустріального інституту за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. З 2 грудня 1997 року був прийнятий на посаду асистента кафедри електротехніки та електропостачання (наказ № 160-в від 4.12.1997р.) Луцького індустріального інституту. З 10 лютого 1998 року призначений на посаду асистента кафедри фізики Луцького державного технічного університету (наказ № 21-в від 14.02.1998р.)  З 22 травня 2008 року переведений на посаду доцента кафедри ТЗЕ Луцького національного технічного університету (наказ №89-06-25  від 22.05.2008 р.),( атестат доцента 02ДЦ №001969  від 17.06.2004  протокол №3/30-Д). В зв’язку з реоганізацією кафедри переведений на посаду доцента кафедри електроніки та телекомунікацій з 01 липня 2017 року (наказ № 93-06-33-в від 31.06.2017р.).

З 1 жовтня 1997 року по 28 квітня 1998 року проходив навчання на Факультеті перепідготовки фахівців при Луцькому державному технічному університеті та здобув кваліфікацію: Бухгалтер. Економіст. ( диплом ДПС №00364 від 28 квітня 1998 р.)

24 жовтня 2002 року захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук в спеціалізованій вченій раді Д 32.051.01 при Волинському національному університеті імені Лесі Українки. Рішенням президії Вищої атестаційної комісії України від 11 грудня 2002 року видано Диплом кандидата фізико-математичних наук (ДК № 017021) за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. Тема кандидатської дисертації «Особливості п’єзоопору в неопромінених та  γ-опромінених кристалах n-Ge та n-Si). Рішенням Вченої ради Луцького національного технічного університету від 17 червня 2004 року присвоєно вчене звання доцента кафедри фізики (атестат доцента 02ДЦ № 001969).У 2013-2014 році пройшов піврічне стажування на кафедрі радіофізики та комп’ютерних технологій факультету електроніки та комп’ютерних технологій, Львівського національного університету імені Івана Франка. За результатами підвищення кваліфікації видано Свідоцтво про підвищення кваліфікації .Протягом 2017-2020 р.р неодноразово проходив стажування за кордоном , а саме в США та Нідерландах в приватних компаніях, що займаються розробкою аналітичного обладнання для наукових та промислових лабораторій, про що засвідчують видані сертифікати.

 В липні 2019 року закінчив курси поглибленого вивчення англійської мови та отримав сертифікат про рівень В2.( № СЕВ2-257). У 2020 році закінчив Луцький національний технічний університет та здобув кваліфікацію: ступінь вищої освіти магістр з відзнакою за спеціальністю 172 Телекомунікації та радіотехніка ( диплом М20-№046791). У 2023 році закінчив Луцький національний технічний університет та здобув кваліфікацію: ступінь вищої освіти магістр з відзнакою за спеціальністю 121 Інженерія програмного забезпечення ( диплом М23-№131543).

Хвищун М.В. є автором понад 85 наукових та 40 навчально-методичних праць, серед яких 1 англомовна монографія опубліковано в Євросоюзі (Austria, Vienna), 2 патенти, 10 статей, які індексується у міжнародній наукометричній базі даних Scopus.

Одружений, маю двох дітей.

Вища

Дослідження електрофізичних властивостей напівпровідникових матеріалів кремнію та германію

Статті Scopus

2023

  1. S. V. Luniov, M. V. Khvyshchun, D. A. Zakharchuk & V. T. Maslyuk (2023) Tensoelectric properties irradiated by
    the fast electrons n-Ge single crystals, Radiation Effects and Defects in Solids, 178(9–10), 1073–1080. / URL: https://doi.org/10.1080/10420150.2023.2211195
  2. S. V. Luniov, M. V. Khvyshchun, D. A. Zakharchuk & V. T. Maslyuk (2023) Tensoelectric properties irradiated by the fast electrons n-Ge single crystals, Radiation Effects and Defects in Solids, / URL: https://doi.org/10.1080/10420150.2023.2211195
  3. Luniov, S.V., Khvyshchun, M.V., Koval, Y.V., Tsyz, A.I.: Electrical conductivity of epoxy composites with
    silicon carbide powder filler. Funct. Mater. 2023. Vol. 30 (3). 398-402. / URL: https://doi.org/10.15407/fm30.03.398
  4. Electrical conductivity of epoxy composites with silicon carbide powder filler / S.V. Luniov, M.V. Khvyshchun, Y.V. Koval, A.I. Tsyz. Funct. Mater. 2023. Vol. 30 (3). P.398-402 / URL: https://doi.org/10.15407/fm30.03.398
  5. Serhii Moroz, Anatolii Tkachuk, Mykola Khvyshchun, Stanislav Prystupa, Mykola Yevsiuk. METHODS FOR ENSURINGDATA SECURITY IN MOBILE STANDARDS. p-ISSN 2083-0157, e-ISSN 2391-6761, 2023. PP.4-9. / URL: http://doi.org/10.35784/iapgos.287

2022

  1. Moroz, S.A., Khvyshchun, M.V., Tkachuk, A.A., Lyshuk V.V., Prystupa, S.O.: Investigation of Features of Functioning of the Pyroelectric Sensors in Electronic Security Devices. IEEE 12th International Conference on Electronics and Information Technologies (ELIT), pp. 27-32, (2021) / URL: https://doi.org/10.1109/ELIT53502.2021.9501138
  2. Luniov, S.V., Khvyshchun, M.V., Tsyz, A.I., Maslyuk, V.T.: Influence of Electron Irradiation and Annealing on the IR Absorption of Germanium Single Crystals. IEEE 12th International Conference on Electronics and Information Technologies (ELIT), pp. 18-22, (2021) / URL: https://doi.org/10.1109/ELIT53502.2021.9501152
  3. Moroz, S., Tkachuk, A., Khvyshchun, M., Prystupa, S., Yevsiuk, M.: Methods for Ensuring Data Security in Mobile Standards. Informatyka, Automatyka, Pomiary W Gospodarce I Ochronie Środowiska, 12(1), 4-9 (2022). / URL: https://doi.org/10.35784/iapgos.2877

2019

  1. Luniov, S.V., Zimych, A.I., Khvyshchun, M.V., Maslyuk, V.T. & Megela, I.G.: The impact of heat treatment on the magnetic sensitivity of irradiated by electrons single crystals n-Ge. Funct. Mater. Volume 26, Issue 1, Pages 41-47 (2019). / URL: https://doi.org/10.15407/fm26.01.41
  2. Luniov, S.V., Zimych, A.I., Khvyshchun, M.V., Maslyuk, V.T. & Megela, I.G.: Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons. Ukr. J. Phys. Volume 64, Issue 2, Pages 151-156 (2019). / URL: https://doi.org/10.15407/ujpe64.2.151
  3. Luniov, S.V., Khvyshchun, M.V., Maslyuk, V.T.: The Impact of Radiation Defects on a Photosensitivity of Silicon Single Crystals. 11th International Scientific and Practical Conference on Electronics and Information Technologies, ELIT 2019 – Proceedings, pages 295-298, (2019) / URL: https://doi.org/10.1109/ELIT.2019.8892276

2018

  1. Luniov, S., Zimych, A., Khvyshchun, M., Yevsiuk, M. & Maslyuk, V.: Specific features of defect formation in the N­Si: Single crystals at electron irradiation. Eastern-European J. Volume 6, Issue 12-96, Pages 35-42, (2018). / URL: https://doi.org/10.15587/1729-4061.2018.150959

2016

  1. Lavrentyev, A.A., Gabrelian, B.V., Vu, V.T., Shkumat, P.N., Myronchuk, G.L., Khvyshchun, M., Fedorchuk, A.O., Parasyuk, O.V., Khyzhun, O.Y.: Electronic structure and optical properties of Cs2HgI4: Experimental study and band-structure DFT calculations. Opt. Mater. Volume 42, Pages 351-360, / URL: https://doi.org/10.1016/j.optmat.2015.01.026
 Вітчизняні фахові наукові видання

2023

  1. V. Shevchuk1, O. Stepanov1, H. Klym1,2, T. Tkachuk1, M. Khvyshchun SPECIALIZED GAME COMPUTER SYSTEM BASED ON ARDUINO UNO. ISSN 2224-087X. Електроніка та інформаційні технології. 2023. Випуск 24. С. 23–33. / URL: https://doi.org/10.30970/eli.24.3
Завантажити CSV