l.panasiuk

Панасюк Леонід Іванович

Місце роботи за сумісництвом

Факультет транспорту та механічної інженерії

Кафедра фізики та вищої математики

Доцент
l.panasiuk@lutsk-ntu.com.ua
Написати повідомлення
Написати повідомлення
Методичне забезпечення

2022

  1. Вища математика. Методичні вказівки до виконання практичних робіт для здобувачів першого (бакалаврського) рівня вищої освіти денної та заочної форм навчання / URL: https://lib.lntu.edu.ua/uk/147258369/11554

2021

  1. Вища математика. Методичні вказівки до виконання практичних робіт для здобувачів першого (бакалаврського) рівня вищої освіти денної та заочної форм навчання

2020

  1. Фізика : метод. вказівки до викон. самостійної роботи для здобувачів першого (бакалаврського) рівня вищої освіти скороченої денної та заоч. форм навч.

2019

  1. Фізика : метод. вказівки до практичних занять для здобувачів першого (бакалаврського) рівня вищої освіти денної та заоч. форм навч. / URL: https://lib.lntu.edu.ua/uk/147258369/1480

2018

  1. Фізика. Методичні вказівки до практичних занять для студентів технічних напрямів підготовки денної та заочної форм навчання
Монографія

2019

  1. Кінетичні ефекти в кремнії та германії при сильних одновісних тисках. / URL: https://drive.google.com/open?id=1sG9dvqIxPnJmMDBj7RNTq4Q9ZqKu7kOB
 Статті Scopus

2023

  1. Determination of activation energy of technological thermodonors in
    uniaxially defor med n-Si / URL: https://doi.org/10.1016/j.physb.2023.415391

2017

  1. Вплив одновісного тиску на 2-провідність сильно легованого p-Si(B). / URL: https://jnep.sumdu.edu.ua/download/numbers/2017/1/articles/jnep_V9_01020.pdf

2015

  1. Енергія активації технологічних теомодонорів у нейтронно-легованому кремнії / URL: https://doi.org/10.30970/jps.19.1701

2013

  1. Application of High Uniaxial Strain Methods for Semiconductor Parameter Determination / URL: https://doi.org/10.1016/j.physb.2013.02.017

2012

  1. Константи деформаційного потенціалу та у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту / URL: https://doi.org/10.15407/ujpe57.6.636

2011

  1. Кремнієві p-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів / URL: https://doi.org/10.15407/ujpe56.9.917
 Вітчизняні фахові наукові видання

2022

  1. Рівень Фермі в кристалах антимоніду кадмію при наявності радіаційних дефектів / URL: https://eforum.lntu.edu.ua/index.php/naukovi_notatky/article/view/806

2019

  1. Діагностики якості гартування кілець підшипників з використанням явища електромагнітної індукції / URL: https://doi.org/10.36910/6775-2313-5352-2019-15-19

2017

  1. Особливості структурних неоднорідностей в легованих монокристалах антимоніду кадмію / URL: http://lib.pnu.edu.ua/files/Visniki/FHTT/fhtt-2017-18-3.pdf

2015

  1. Механізми тензоефектів у нейтронно-легованому -опроміненому n-Si(P) при сильних одновісних тисках / URL: http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9648

2012

  1. Contribution of f- and g-Transitions to Electron Intervalley Scattering of n-Si at Temperatures 300 to 450 K / URL: https://doi.org/10.15407/spqeo15.01.077
  2. Про домінуючу роль f-переходів у міждолинному розсіювання в n-Si в області температур Т=300-450 К / URL: http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5249
  3. Вплив інверсії (L1−Δ1) типу абсолютного мінімуму на ефект екранування / URL: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.2.113427

2011

  1. Вплив одновісної пружної деформації на положення та ступінь заповнення глибокого рівня еВ у монокристалах n-Ge<Au> / URL: http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5259
 Тези доповідей

2023

  1. Особливості ефекту п’єзоопору в деформованому n-Ge для випадку X//J//[110]
  2. П’єзоелектричні властивості монокристалів антимоніду кадмію до та після γ-опромінення / URL: https://mte.lntu.edu.ua/sites/default/files/2023-05/%D0%9Caterials%20and%20Tech…
  3. Temperature dependencies of Fermi level in CdSb crystals with deep energy levels / URL: https://kfhtt.pnu.edu.ua/wp-content/uploads/sites/48/2023/10/abstract-book_2023…
  4. Kinetics of charge carriers in gamma irradiated CdSb crystals / URL: https://drive.google.com/file/d/1M968vAoavH5bL16QUgsM5M9K7VmHaop3/view

2021

  1. Особливості п’єзоопору монокристалів n-Si легованих домішкою фосфору методом ядерної трансмутації

2020

  1. Вплив наявності шарових періодичних неоднорідностей на надійність визначення константи деформаційного потенціалу зсуву в γ-опроміненому n-Si

2019

  1. Интерфейсная модель низкотемпературной пластичности кристаллов кремния и германия при сильной одноосной деформации
  2. Low-Temperature Plasticity of Uniaxially Deformed Silicon and
    Germanium Crystals

2018

  1. Розсіювання на міждолинних фононах в кремнії при високих температурах / URL: https://drive.google.com/file/d/1bZF1zMDAhA_DtIofFq_6CyPmWx7TiCJe/view
  2. Вплив міждолинного розсіювання на рухливість електронів у n-Sі в області високих температу

2017

  1. Features of Structural Inhomogeneities in Doped Cadmium Antimonide Crystals / URL: https://conference.pu.if.ua/phys_che/start/conference_16/index.htm
  2. Кінетика електронних процесів в монокристалах n-Si при Т>300K
  3. The Kinetics of Electronic Processesin Single Crystals of n-Si at T>300K / URL: https://conference.pu.if.ua/phys_che/start/conference_16/index.htm

2016

  1. Особливості структурних неоднорідностей в легованих монокристалах антимоніду кадмію / URL: https://drive.google.com/file/d/0B9VsrTByTaaIamhIR05pNXRvRmM/view?resourcekey=0…
  2. Розрахунок глибини залягання енергетичних рівнів у монокристалах монокристалах антимоніду кадмію за даними п’єзоопору
Зарубіжні наукові видання

2013

  1. Intervalley Scattering of Electrons in n-Si at T=77450 K / URL: https://www.scirp.org/journal/paperinformation?paperid=28308
Завантажити CSV